肖特基二极管与普通二极管有啥区别
肖特基二极管与普通二极管的区别：内阻不同，压降不同。
一、内阻不同：
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
二、压降不同：
普通二极管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，
肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。
缺点
肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。
为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值最大可以到200V。
以上内容参考：百度百科-肖特基二极管
深圳晶创和立
2023-08-25 广告
肖特基二极管与普通二极管区别如下：
一、正向压降数值不同：
直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V以下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V以下；SR350 就是表示3A50V。另肖特基二极管耐压一般在100V以下，没有150V以上的。
二、特点不同：
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。
三、耐压不同：
普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁。
肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
二极管特性：
二极管具有单向导电性，在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。
对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。
最高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以最高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。
肖特基二极管比普通二极管更节能。
有人说肖特基二极管比普通二极管VF更低，所以更节能，这是对的，但如果你不是专业人士，或是刚入行的采购、业务助理就不一定知道为什么了。
一般来说，电流通过一个器件产生一些功能，例如，节能灯产生光的同时也产生热量，但这个热不是我们想要的，希望热越小越好，最好没有热量（但这是不可能的），这是我们平时所说的主要损耗。整流二极管也一样，二极管将交流电转变为直流电也会产生热量，这是整流二极管最主要的损耗。产生热量与内阻有关，电流额定时内阻越大热量也越大。但为什么VF越小损耗越小呢？假说通过10A电流的肖特基二极管（VF为0.5V)和普通二极管（VF为0.7）的损耗是多少呢？
以上可以看出，当VF越大时，流过二极管产生的的损耗也越大，因为肖特基二极管有更低的压降（VF)，损耗更小，这正是肖特基比普通二极管更节能的原因。
肖特基二极管与普通二极管最明显的区别有以下几点：
1、肖特基二极管正向导通压降比普通二极管低，所以低功耗。
2、肖特基二极管反向恢复时间比普通二极管短，所以工作频率更高。
3、肖特基二极管反向耐压比普通二极管低，一般低于200V。
4、肖特基二极管比普通的二极管通过的电流强。
5、肖特基二极管比普通二极管的结电容小。
6、肖特基二极管可以通过高频电流。
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肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
1.
硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右。
2.
锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右。
3.
肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。
两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky
Barrier
Diode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
