首先我们需要了解二极管。
二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
当外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值Vth，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。所以可以认为这个时候二极管的电阻很小。
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。所以可以认为这个时候二极管电阻很大。
一般来说，在高中阶段我们认为反向的电阻无穷大，不会通电。但其实，如果外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
原理是因为二极管是有两种性质不同的半导体，拼结而成的，怎么说呢，一种半导体，含有很多允许自由电子通过的空穴，但自己却含有很少的自由电子叫P型半导体，而另一种则是还有较多自由电子，但却因此缺乏容纳电子的空穴叫N型半导体。。。如果正向加电压，电子从N向P移动，这样因为N有大量自由电子，P有大量允许电子通过的空穴空穴，这样电子很顺利的就过去了，电阻小，而反接就不一样了，由于流动的不顺畅，在拼接处，P的电子堆积，而N的拼接处电子流失，导致产生了一个和电源相反的电动势，平衡后就不会在产生电流了，不过电压足够大，这个平衡会被击穿的。。。。
