场效应管和双极型晶体管比较,有什么不同…
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1. 场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,丢信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。
2. 场效应管是多子导电。而晶体管的两种载流子均参与到点。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感,因此,对于环境变化较大的场合,采用场效应管比较合适。
3. 场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外,还可作压控可变线性电阻使用。
4. 场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此,使用场效应管比晶体管灵活
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2. 场效应管是多子导电。而晶体管的两种载流子均参与到点。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感,因此,对于环境变化较大的场合,采用场效应管比较合适。
3. 场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外,还可作压控可变线性电阻使用。
4. 场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此,使用场效应管比晶体管灵活
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差别大了,场效应管是要阴极加触发电压才导通,双极型晶体管是要满足PN结有正向电压才会导通。
望采纳……
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场效应管与双极性晶体管的比较
1. 场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,丢信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。
2. 场效应管是多子导电,而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感,因此,对于环境变化较大的场合,采用场效应管比较合适。
3. 场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外,还可作压控可变线性电阻使用。
4. 场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此,使用场效应管比晶体管灵活。
1. 场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,丢信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。
2. 场效应管是多子导电,而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感,因此,对于环境变化较大的场合,采用场效应管比较合适。
3. 场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外,还可作压控可变线性电阻使用。
4. 场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此,使用场效应管比晶体管灵活。
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