Question

试验中有哪些霍尔元件的负效应对霍尔电压有影响

Answer 1

测磁感应强度实验中，在产生霍尔效应时还产生哪些副效厄廷好森效应引起的电势差UE，由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动,速度大的电子回转半径大，能较快地到达接点3的侧面，从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子。

霍尔元件为一半导体材料片，通过此材料片施加一个恒定电压既可形成一个恒定偏移电流。如果无磁场，其输出即通过半导体材料片宽度的电压，理论上读数近于0；如果此偏斜的霍尔元件位于与霍尔电流成直角的磁场里，则电压输出与磁场强度成正比。

扩展资料：

霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转所产生的。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累，从而形成附加的横向电场。

若在方向通以电流，在方向（垂直纸面向外）加磁场，则在方向即试样、电极两侧就开始积累异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移的。当载流子所受的横向电场力与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡。

参考资料来源：百度百科-霍尔效应实验

Answer 2

测磁感应强度实验中，在产生霍尔效应时还产生哪些副效 厄廷好森（Etinghausen）效应引起的电势差UE.由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接点3的侧面,从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子