EEPROM与FLASH闪存到底有什么区别
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1、擦写方式不同
FLASH在写新的数据前必须先擦除,而且经常是只允许整页擦除,没有办法擦除一个字节,换句话说,只能成块的读写,特别是写。
EEPROM写之前不需要擦除,可以每次改写一个字节。当然,也有缺点,EEPROM读写速度慢,另外,容量比较小,也就是说EEPROM要贵。
2、使用情况不同
对单片机来说,关键性的数据,如传感器的标定数据,用户配置参数等,用EEPROM存储,而像文件等大容量的数据记录,或者经常读但很少写的数据,可以用FLASH闪存存储,像图片、字库、文件记录。
除了操作次数相当高外,操作时间也很短,基本上命令发完就完成了读写操作,不需要eeprom的写等待查询。
3、擦写次数不同
eeprom比flash多很多,一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次(现在有些已经到了上万次),eeprom的数据比这个大,但普通eeprom也是有限制。
如果要“无限制”,可以选择FRAM,它虽然读一次和写一次都算一次操作,但操作次数可以到10的12次方级别,基本可以认为是无限。
参考资料来源:百度百科—EEPROM
参考资料来源:百度百科—Flash
华北工控
2023-06-12 广告
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台式机,芯片组要求有强大的性能,良好的兼容性,互换性和扩展性,对性价比要求也很高,并适度考虑用户在一定时间内的可升级性,扩展能力在三者中很高。笔记本,在较早期的笔记本设计中并没有单独的笔记本芯片组,均采用与台式机相同的芯片组,随着技术的发展...
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flash是用来存储代码的,在运行过程中不能改;EEPROM是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12:00,后来在运行中改为6:00,这是保存在EEPROM里,不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到6:00
两者都是非易失性存储器
FLASH的全称是FLASH EEPROM,但跟常规EEPROM的操作方法不同
FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。
一般来说eeprom中存放开机是用到的参数,不可丢失的变量等,而FLASH中会存放程序,记录文件等。
两者都是非易失性存储器
FLASH的全称是FLASH EEPROM,但跟常规EEPROM的操作方法不同
FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。
一般来说eeprom中存放开机是用到的参数,不可丢失的变量等,而FLASH中会存放程序,记录文件等。
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单就这个问题回答,是不行的,但有些地方是可以替换的。
这里就要提到Flash与eeprom的区别了:
1、擦写次数:eeprom比flash多很多,一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次(现在有些已经到了上万次),eeprom的数据比这个大,但普通eeprom也是有限制的,若要“无限制”,可以选择FRAM,它虽然读一次和写一次都算一次操作,但操作次数可以到10的12次方级别,基本可以认为是无限。
2、擦写方式:flash是不能单字节擦写的,eeprom可以,flash的最小擦写单位通常为一个sector,大小根据不同芯片不同。
如果产品满足上述两条flash的要求(产品周期内的擦写次数较少、擦写时有足够的缓存),在这样的产品中完全可以用flash来替换eeprom,否则不行。
另外,前面提到的FRAM(铁电),除了操作次数相当高外,操作时间也很短,基本上命令发完就完成了读写操作,不需要eeprom的写等待查询。具体型号如:FM24C04(IIC接口,4kbit)
这里就要提到Flash与eeprom的区别了:
1、擦写次数:eeprom比flash多很多,一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次(现在有些已经到了上万次),eeprom的数据比这个大,但普通eeprom也是有限制的,若要“无限制”,可以选择FRAM,它虽然读一次和写一次都算一次操作,但操作次数可以到10的12次方级别,基本可以认为是无限。
2、擦写方式:flash是不能单字节擦写的,eeprom可以,flash的最小擦写单位通常为一个sector,大小根据不同芯片不同。
如果产品满足上述两条flash的要求(产品周期内的擦写次数较少、擦写时有足够的缓存),在这样的产品中完全可以用flash来替换eeprom,否则不行。
另外,前面提到的FRAM(铁电),除了操作次数相当高外,操作时间也很短,基本上命令发完就完成了读写操作,不需要eeprom的写等待查询。具体型号如:FM24C04(IIC接口,4kbit)
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