如图所示,在xOy平面坐标系中,直线MN与y轴成30°角,M点的坐标为(0,a),在y轴与直线MN之间的区域内,
如图所示,在xOy平面坐标系中,直线MN与y轴成30°角,M点的坐标为(0,a),在y轴与直线MN之间的区域内,存在垂直xOy平面向里、磁感应强度为B的匀强磁场.电子束以...
如图所示,在xOy平面坐标系中,直线MN与y轴成30°角,M点的坐标为(0,a),在y轴与直线MN之间的区域内,存在垂直xOy平面向里、磁感应强度为B的匀强磁场.电子束以相同速度从y轴上0≥y≥-23a的区间垂直于y轴和磁场射入磁场.已知从O点射入磁场的电子在磁场中的运动轨迹恰好与直线MN相切,忽略电子间的相互作用.(1)求电子的比荷;(2)若在xOy坐标系的第Ⅰ象限加上沿y轴正方向大小为E=Bv0的匀强电场,在x0=43a处垂直于x轴放置一荧光屏,计算说明荧光屏上发光区的形状和范围.
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(1)已知从O点射入磁场的电子在磁场中的运动轨迹恰好与直线MN相切,电子运动轨迹的圆心为O′点,如图所示.
根据几何关系得:O′M=a-R
直线MN与y轴成30°角,所以有:a-R=2R
所以有:R=
.
由牛顿第二定律得:ev0B=m
,
电子的比荷:
=
.
(2)电子在电场中做类平抛运动,从O点射入磁场的电子打到荧光屏上距Q点最远.
电子在电场中做类平抛运动,设电子在电场的运动时间为t,竖直方向位移为y,水平位移为x,
水平:x=v0t,
竖直:y=
?
?t2=
,
代入数据解得:t=
,x=
;
设电子最终打在光屏的最远点距QQ点为HH,电子射出电场时的夹角为θ有:
tanθ=
=
=2,
所以H=(
-
)×2=
.
已知从y=-
a点射入磁场的电子在磁场中运动到O点,最后打到Q点,
所以荧光屏上发光区的形状是一条直线,范围是在荧光屏上0≥y≥-
a.
答:(1)电子的比荷是
;
(2)荧光屏上发光区的形状是一条直线,范围是在荧光屏上0≥y≥-
a.
根据几何关系得:O′M=a-R
直线MN与y轴成30°角,所以有:a-R=2R
所以有:R=
a |
3 |
由牛顿第二定律得:ev0B=m
| ||
R |
电子的比荷:
e |
m |
3v0 |
Ba |
(2)电子在电场中做类平抛运动,从O点射入磁场的电子打到荧光屏上距Q点最远.
电子在电场中做类平抛运动,设电子在电场的运动时间为t,竖直方向位移为y,水平位移为x,
水平:x=v0t,
竖直:y=
1 |
2 |
eE |
m |
2a |
3 |
代入数据解得:t=
2a |
3v0 |
2a |
3 |
设电子最终打在光屏的最远点距QQ点为HH,电子射出电场时的夹角为θ有:
tanθ=
at |
v0 |
2v0 |
v0 |
所以H=(
4a |
3 |
2a |
3 |
4a |
3 |
已知从y=-
2 |
3 |
所以荧光屏上发光区的形状是一条直线,范围是在荧光屏上0≥y≥-
4 |
3 |
答:(1)电子的比荷是
3v0 |
Ba |
(2)荧光屏上发光区的形状是一条直线,范围是在荧光屏上0≥y≥-
4 |
3 |
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