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第一个问题:
pn结外加正向偏置电压后，外电场削弱了pn结内电场(空间电荷区)的电压，即削弱了少子的漂移运动，继而使得空间电荷区变窄，使得多数载流子(P区多子是空穴;N区多子电子)形成扩散运动，且外电压越大，扩散运动越强，即表示电流越大;内电场与外电场的电压方向是相反的，所以，反之如果外加电压是反向偏置电压，那么会使得内电场电压增大，这样扩散运动被大幅减弱，反而使得少子漂移运动加剧，继而使得空间电荷区变宽，阻碍能力越强;正向偏置电流减小为0，这就是二极管PN结反向偏置时为什么不能流通电流的原因
第二个问题:
CB>BE 这是三极管饱和状态，之所以不能像二极管那样工作，是由于工艺造成的
在三极管时要求，发射极掺杂浓度高，基极薄且参杂浓度低，集电极比较大便于收集电子，但参杂浓度也低。 但二极管两个区得参杂浓度是一样，正是这一特点使得单向导电性能体现明显，应用也较广，所以如果有了这个浓度差，在反偏时没有多余的载流子出现，即表示有正向电流流过，那么二极管就变成一个可变电阻，它就不是二极管了，换句话说如果有了这个浓度差，单向导电的性能就被大幅度削弱，一个这样器件还不如来根导线替代更好，所以没有意义
pn结外加正向偏置电压后，外电场削弱了pn结内电场(空间电荷区)的电压，即削弱了少子的漂移运动，继而使得空间电荷区变窄，使得多数载流子(P区多子是空穴;N区多子电子)形成扩散运动，且外电压越大，扩散运动越强，即表示电流越大;内电场与外电场的电压方向是相反的，所以，反之如果外加电压是反向偏置电压，那么会使得内电场电压增大，这样扩散运动被大幅减弱，反而使得少子漂移运动加剧，继而使得空间电荷区变宽，阻碍能力越强;正向偏置电流减小为0，这就是二极管PN结反向偏置时为什么不能流通电流的原因
第二个问题:
CB>BE 这是三极管饱和状态，之所以不能像二极管那样工作，是由于工艺造成的
在三极管时要求，发射极掺杂浓度高，基极薄且参杂浓度低，集电极比较大便于收集电子，但参杂浓度也低。 但二极管两个区得参杂浓度是一样，正是这一特点使得单向导电性能体现明显，应用也较广，所以如果有了这个浓度差，在反偏时没有多余的载流子出现，即表示有正向电流流过，那么二极管就变成一个可变电阻，它就不是二极管了，换句话说如果有了这个浓度差，单向导电的性能就被大幅度削弱，一个这样器件还不如来根导线替代更好，所以没有意义
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GamryRaman
2023-06-12 广告
N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时，g极与d极之间的电位有固定的大小关系。这是因为当MOS管工作在恒流区时，由于源极和漏极电压相等，G极电压（即源极电压）为0，而D极电压（即漏极电压）受栅极电压控制。由于G极电压为0，因此在恒流区时，D极电...
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本回答由GamryRaman提供
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