如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路. 虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场,方向垂直于回路所

如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场,方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始终与MN垂直.从D... 如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路. 虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场,方向垂直于回路所在的平面. 回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始终与MN垂直. 从D点到达边界开始到C点进入磁场为止,下列结论不正确的是(  ) A.感应电流方向不变 B.CD段直导线始终不受安培力 C.感应电动势最大值E m =Bav D.感应电动势平均值 πBav 展开
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CZJ追风少年945
2014-12-06 · TA获得超过104个赞
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B


试题分析:据题意,由楞次定律可知,当回路进入磁场,穿过磁场的磁通量增加,回路中产生逆时针方向的磁场,故A选项正确,不选;由于通过CD短的一直由D到C,且CD段一直与磁场垂直,故受到竖直向下的安培力,故B选项错误;感应电动势最大值出现在回路的等效半径垂直进入磁场的瞬间,即 ,则C选项正确,不选;回路从进入到完全进入磁场的过程中感应电动势平均值为: ,故D选项正确,不选。
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