Vbb=0V时，三极管截止，Uo=12V；
Vbb=1V时，Ib=（1-0.7）/5k=60uA，Ic=100*Ib=6mA，Uo=12V-IcRC=12-1kΩ*6mA=6V；
Vbb=2V时，Ib=（2-0.7）/5k=260uA，三极管饱和时Ic=12/1k==12mA，需要的Ib饱和电流为
12mA、100=120uA，而此时Ib大于饱和电流，故三极管饱和，Uo=0.1V。
三极管工作状态
1.截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
2.放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
3.饱和导通：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化。这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
三极管饱和后C、E 间视为短路.三极管截止后C、E 间视为开路.三极管构成的放大电路，在实际应用中，除了用做放大器外（在放大区），三极管还有两种工作状态，即饱和与截止状态。
三极管饱和状态下的特点:要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即IB≥IBS。三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压（UCES）很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE＝EC－ICRC，所以IBS＝ICS／β＝EC－UCES／β≈EC／βRC。
三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UBES＝0.7V（锗管UBES＝－0.3V），而UCES＝0.3V，可见，UBE＞0，UBC＞0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后，C、E 间的饱和电阻RCE＝UCES／ICS，UCES 很小，ICS 最大，故饱和电阻RCES很小。.饱和后IC不会随着IB的增加再增加，三极管饱和后C、E 间视为短路。
三极管截止状态下的特点:要使三极管处于截止状态，必须基极电流IB＝0，此时集电极IC＝ICEO≈0（ICEO 为穿透电流，极小），根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE＝EC－ICRC，集电极与发射极间的电压UCE≈EC。
三极管截止时，基极电流IB＝0，而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO 可见，UBE≤0，UBC＜0，也就是说，发射结和集电结均为反偏。三极管截止后，C、E 间的截止电阻RCE＝UCE／IC，UCES 很大，等于电源电压，ICS 极小，C、E 间电阻RCE 很大，所以，三极管截止后C、E 间视为开路.
三极管放大状态下的特点:要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：0＜IB＜IBS。三极管放大时，基极电流IB＞0，对硅管来说，发射结的压降UBE＝0.7V（锗管UBE＝－0.3V），三极管在放大状态时，集电极与发射极间的电压UCE＞1V 以上，UBE＞0，UBC＜0，也就是说，发射结正偏，集电结反偏。
三极管在放大状态时，IB 与IC 成唯一对应关系。当IB 增大时，IC 也增大，并且1B 增大一倍，IC 也增大一倍。所以，IC 主要受IB 控制而变化，且IC 的变化比IB 的变化大得多，即集电极电流IC＝β×IB。
扩展资料
三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件。
可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。
其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨地说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！
1.电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
2.双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
3.J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
4.金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
5.V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管
VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升。
但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
参考资料：百度百科三极管
Vbb=1V时，Ib=（1-0.7）/5k=60uA，Ic=100*Ib=6mA，Uo=12V-IcRC=12-1kΩ*6mA=6V；
Vbb=2V时，Ib=（2-0.7）/5k=260uA，三极管饱和时Ic=12/1k==12mA，需要的Ib饱和电流为12mA、100=120uA，而此时Ib大于饱和电流，故三极管饱和，Uo=0.1V。
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