什么是半导体的P型和N型？
一、N型半导体
N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
形成原理
掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加。
二、P型半导体
P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。
形成
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。
扩展资料
在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。
由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
参考资料来源：百度百科-N型半导体
参考资料来源：百度百科-空穴型半导体
半导体中的 P 型和 N 型是指掺杂有不同类型杂质的半导体材料。在晶体管和其他半导体器件中，这些掺杂区域被用来创建 PN 结，这是一种电子器件，它能够控制电子流。
P 型半导体通常是硼等三价元素掺杂到硅或锗等四价元素的半导体中形成。掺杂后，杂质原子会带入一个少一个电子的空穴，这些空穴是带正电荷的。
N 型半导体则是通过向硅或锗等的半导体中掺入磷或氮等五价元素来形成。这些杂质原子会带入额外的自由电子，形成带负电荷的电子。
当 P 型和 N 型半导体相互接触时，它们形成一个 PN 结。PN 结中的电场可以控制电子的流动，因此它在许多电子器件中都是非常重要的基础结构。
