DDR4与DDR3有什么区别?
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【概括而言,区别如下】:\x0d\x0a\x0d\x0a1.DDR4内存条外观变化明显,金手指变成弯曲状\x0d\x0a2.DDR4内存频率提升明显,可达4266MHz\x0d\x0a3.DDR4内存容量提升明显,可达128GB\x0d\x0a\x0d\x0a4.DDR4功耗明显降低,电压达到1.2V、甚至更低\x0d\x0a\x0d\x0a【详细区别包括以下5方面】:\x0d\x0a\x0d\x0a一、频率和电压\x0d\x0a\x0d\x0a在频率方面,DDR4内存的工作频率将从2133MHz 起跳,最高甚至可以达到4266MHz。这个频率相比DDR3 内存有相当大的提升。在电压方面,DDR3 内存的工作电压为1.5V,而DDR4内存的工作电压将近一步的降低,预计最低可以做到1.2V。\x0d\x0a\x0d\x0a二、传输机制\x0d\x0a\x0d\x0a相对于DDR3,DDR4的一大改进就体现在信号传输机制上。它拥有两种规格:除了可支持Single-endedSignaling信号( 传统SE信号)外,还引入了DifferentialSignaling( 差分信号技术 )技术。\x0d\x0a\x0d\x0a三、访问机制\x0d\x0a\x0d\x0a对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。点对点相当于一条主管道只对应一个水箱(这种机制的改变其实并不会对传输速度产生太大的影响,因为主管道的大小并没有改变),这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。\x0d\x0a\x0d\x0a四、封装技术\x0d\x0a\x0d\x0aDDR4内存采用3DS封装技术,3DS(3-Dimensional Stack,三维堆叠)技术是DDR4内存中最关键的技术之一,它用来增大单颗芯片的容量。在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。\x0d\x0a\x0d\x0a五、外观\x0d\x0a\x0d\x0aDDR3内存金手指是240个,内存金手指是平直的;而DDR4内存金手指是284个,内存金手指呈弯曲状。
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