Question

场效应管怎么测量好坏

Answer 1

可以用万用表测量场效应管的好坏。

使用万用表二极管导通档，从左至右一般都是GDS排列，量最右边管脚S到中间脚D是否正向导通，但不短路，量左边脚G与右边脚S是否相互不导通，如此则为好的N-MOS。

场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，我们平常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗尽型，而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。我们主板中常用的MOS管GDS三个引脚是固定的，不管是GDSN沟道还是P沟道都一样，把芯片放正，从左到右分别为G极、D极、S极。

场效应管工作原理

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压进行控制”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。

因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。