什么是PNP型三极管?

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汪造化
2023-06-25 · 曲终人散,落得个白茫茫大地
汪造化
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PNP型三极管在工作状态下,e,b,c三者之间的电位关系为:e点电位高于b点电位高于c点电位,即Uc<Ub<Ue;

C极为负电压,E极为最高电位。不论管子在何种电压下工作,放大三极管的Ub与Ue之差很小,锗管为-0.2V,硅管为-0.6V。

PNP型三极管发射极电位最高,集电极电位最低,UBE<0。




扩展资料:

工作原理:

晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,

下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,

这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)基极区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,

但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。

由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,

被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得:Ie=Ib+Ic。


参考资料来源:百度百科—PNP型三极管

参考资料来源:百度百科—三极管

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