片上晶振与外置晶振有什么区别?
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晶振指的是芯片内部振荡器，那个一般是内部RC（电容电阻)振荡，这个振荡周期会随电压，温度，湿度等一些因素改变（有的比较大）；
外置晶振一般比内部RC振荡精度高并且随电压，温度湿度等变化比较小；
优缺点：
外部晶振稳定，内部晶振的误差比较大，但如果对频率要求不高的话（比如不涉及串口通信和精确定时等的话），用内部晶振就行 。
内部时钟，频率受温度等其它影响，但是能省下晶振的钱，还有2个I/O。如果对频率要求不高，一般是优先选用内部振荡。 如果要省电，用了SLEEP，那就不能用片上振荡了。
外置晶振一般比内部RC振荡精度高并且随电压，温度湿度等变化比较小；
优缺点：
外部晶振稳定，内部晶振的误差比较大，但如果对频率要求不高的话（比如不涉及串口通信和精确定时等的话），用内部晶振就行 。
内部时钟，频率受温度等其它影响，但是能省下晶振的钱，还有2个I/O。如果对频率要求不高，一般是优先选用内部振荡。 如果要省电，用了SLEEP，那就不能用片上振荡了。
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你说的片上晶振指的是芯片内部振荡器吧，那个一般是内部RC（电容电阻)振荡，这个振荡周期会随电压，温度，湿度等一些因素改变（有的比较大）；
外置晶振一般比内部RC振荡精度高并且随电压，温度湿度等变化比较小；
外置晶振一般比内部RC振荡精度高并且随电压，温度湿度等变化比较小；
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