SRAM 型号为,IS61LV12824 10ns 速度 , 用最高50M 主频率的FPGA对其读写能成功吗?

如果频率是50M的FPGA操作它tAAAddressAccessTime—8—10—12nstOHAOutputHoldTime3—3—3ns这样的时间是不是不好满足ht... 如果频率是50M的FPGA操作它
tAA Address Access Time — 8 — 10 — 12 ns
tOHA Output Hold Time 3 — 3 —3ns 这样的时间是不是不好满足
http://www.ic37.com/ISSI/IS61LV12824_datasheet_821360/IS61LV12824_10.html#view 用这里面的 READ CYCLE NO. 1 和WRITE CYCLE NO. 3 实现, 简单的读写代码是怎样的, 前提是我的 FPGA工作在 50M(20ns) 而该芯有10ns内的延时, 谢谢!
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百度网友728aca2
2014-12-15
知道答主
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这些时间都是最小时间要求。FPGA才跑50MHz,SRAM完全没有压力啊。如果不倍频的话,你FPGA的每一步操作之间的间隔是20ns,建立时间怎么也够了。
写就是把信号准备好,然后周期0地址、数据输出并保持、周期1写信号下位、周期2写信号上拉、周期3地址和数据输出撤除。
读更简单,把信号准备好,周期0输出地址,周期1读入数据。(如果芯片内的延时再大的话,一来一回加起来也够20ns了,数据可能会再晚一个周期到,这个你需要自己根据实际情况在周期1不操作,调整到周期2读入数据)
追问
READ CYCLE NO. 1  中以下两个参数, 不用管吗?    必须TAA后才能读数,但TAA小于10ns,  TAA里的TOHA  必须大于3ns      TAA Address Access Time 10 ns  (MAX)    tOHA Output Hold Time 3ns  (MIN)
匿名用户
2014-12-15
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恩,可以的了。
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百度网友2b9e56145
2014-12-15 · TA获得超过166个赞
知道小有建树答主
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没问题~~~~~
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