三极管 模电 为什么基极开路 集电极回路会有穿透电流?

书上直接作为结论讲出来的但是想知道原理是什么请大家多多帮忙谢谢... 书上直接作为结论讲出来的 但是想知道原理是什么 请大家多多帮忙 谢谢 展开
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做而论道
高能答主

2010-09-13 · 把复杂的事情简单说给你听
知道大有可为答主
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虽然集电结是反偏的,虽然基极是开路的,但是,晶体管芯,是块半导体材料

半导体材料,又不是绝缘体,加上电压,就有微弱的电流,这很正常。

从 集电区 向 基区 出现的“反向饱和电流Icbo”,在基极没有出路,就流向发射极了。
这一流动,就形成了一个Ib。这个Ib,就引出了一个贝塔倍的Ic;

这个Ib和Ic之和,就是穿透电流Iceo,等于(1+贝塔)Icbo。
GamryRaman
2023-06-12 广告
N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电位有固定的大小关系。这是因为当MOS管工作在恒流区时,由于源极和漏极电压相等,G极电压(即源极电压)为0,而D极电压(即漏极电压)受栅极电压控制。由于G极电压为0,因此在恒流区时,D极电... 点击进入详情页
本回答由GamryRaman提供
周时德
2010-09-17 · TA获得超过180个赞
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Iceo是集电极和发射极之间的反向饱和电流,常称为穿透电流,值比较小,一般可忽略。它常与基极开路是集电极和发射极之间的反向击穿电压有关,当vce增加,使Iceo明显增加时,会导致集电结雪崩击穿。
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ywyb
2010-09-12 · TA获得超过1599个赞
知道小有建树答主
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掺杂之后的半导体仍然有少子存在(非绝对零度时),ICBO就是由少子的漂移形成的电流(与二极管反偏一样),ICEO又与ICBO存在一定关系(你的公式),所以有ICBO自然就会有穿透电ICEO存在。
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ivanlawang
2010-09-13 · TA获得超过1746个赞
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半导体其含义就介于导电和非导电之间,三极管普遍是硅和锗材料做成。
PN极的形成是参杂形成的,因此,根据PN极面积大小的不同存在着一定的渗透电流(即穿透电流)。N管的渗透电流在nA级,锗管的渗透电流在μA级。
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