Question

请教有关STM32操作内部flash的问题

Answer 1

使用Flash模块调用Flash操作函数，大概顺序是先解锁flash，在擦除，接着写入，最后在上锁的顺序。注意点在于：

1. 写入flash的代入地址要合法，也就是在正确范围内（详情见技术手册）。

2. 每次擦除flash单位为1kb或2kb。

3. 每次写入的字节数量必须是2字节的整数倍，也就是按16位数据为单位写入。
   

Answer 2

在硬件上SDRAM可以通过nGCSi片选信号的连接确定，NandFlash看不出来，内存映射表上也看不出
请教各位，先谢了！
根据读写的block和page计算出来的
nandflash不是norflash，在内存映射上没有地址
读写要看datasheet，发送命令字和地址序列进行读写操作
但是一般的cpu，像2410/2440上面都有操作nandflash的专门的寄存器
熟悉寄存器的相关位的含义就可以操作nandflash了。
这个没有物理地址对应的，要靠寄存器操作实现读写！
nand是块设备，没有物理地址。
NANDFLASH不能线性寻址，（意思就是不能通过地址线产生的地址选通相应的存储单元），它的读写是块读写，所以系统不好给它安排系统地址。