什么是内存时序？

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#热议# 为什么有人显老，有人显年轻？

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内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式。
分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
用更通俗的说法，CMDRate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。
不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。

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内存时序其实就是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“11-11-11-28”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，
CAS
Latency（简称CL值）是内存CAS延迟时间，RAS－to－CAS
Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间;
RAS
Precharge
Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间;
Row
Active
Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。