igbt工作原理和作用
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅双极晶体管)是一种半导体开关设备,能把较小的输入信号转变为驱动较大负载的高电流电源。
IGBT的工作原理:
IGBT的工作原理很大程度上是受其内部结构决定的,其内部主要由四层P-N结构组成(P+层、N-层、N+层和P层),在P+层和N-层之间插入一个适当的N+层可以得到一个NPN型的双极晶体管,而P层和N+层形成一个PN结型的金氧半场效应晶体管。IGBT的工作主要依赖这两个晶体管结构。
IGBT的控制开关主要通过改变栅极(G)上的电压来控制。当在栅极和发射极(E)之间加上正向电压时(通常是15V),P层和N-层之间就形成导通通道,使N+层和N-层中的电子可以流向P+层,从而形成从集电极(C)至发射极(E)的电流,此时IGBT处于导通状态。反之,当栅极电压为负或为零时,P层与N-层之间的通道被关闭,集电极和发射极间无法通过电流,至此IGBT处于关断状态。
IGBT的作用:
1. 电流开关:IGBT经常作为高功率电子设备中的电流开关使用,它能在微秒级的时间内完成开启和关闭的动作。比如说,在电动汽车和火车牵引系统中,IGBT被用作开关来控制高压直流电源。
2. 变频器:在交流电驱动系统中,IGBT通常使用在变频器中,用以调整电机的电源频率,便于控制电机的转速。
3. 电源调节器:IGBT也可用在开关电源或电源调节器中,例如逆变电源,用于将直流电源转换为交流电源。
IGBT由于其较低的导通电压、较快的开关速度以及相对较高的工作电压等优势,在中高压、中高频的开关电源以及电力电子设备当中有着广泛的应用。
IGBT的工作原理:
IGBT的工作原理很大程度上是受其内部结构决定的,其内部主要由四层P-N结构组成(P+层、N-层、N+层和P层),在P+层和N-层之间插入一个适当的N+层可以得到一个NPN型的双极晶体管,而P层和N+层形成一个PN结型的金氧半场效应晶体管。IGBT的工作主要依赖这两个晶体管结构。
IGBT的控制开关主要通过改变栅极(G)上的电压来控制。当在栅极和发射极(E)之间加上正向电压时(通常是15V),P层和N-层之间就形成导通通道,使N+层和N-层中的电子可以流向P+层,从而形成从集电极(C)至发射极(E)的电流,此时IGBT处于导通状态。反之,当栅极电压为负或为零时,P层与N-层之间的通道被关闭,集电极和发射极间无法通过电流,至此IGBT处于关断状态。
IGBT的作用:
1. 电流开关:IGBT经常作为高功率电子设备中的电流开关使用,它能在微秒级的时间内完成开启和关闭的动作。比如说,在电动汽车和火车牵引系统中,IGBT被用作开关来控制高压直流电源。
2. 变频器:在交流电驱动系统中,IGBT通常使用在变频器中,用以调整电机的电源频率,便于控制电机的转速。
3. 电源调节器:IGBT也可用在开关电源或电源调节器中,例如逆变电源,用于将直流电源转换为交流电源。
IGBT由于其较低的导通电压、较快的开关速度以及相对较高的工作电压等优势,在中高压、中高频的开关电源以及电力电子设备当中有着广泛的应用。
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