已知双曲线离心率C=根号2,且过点M(-5,3）.求满足条件的双曲线方程
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e=c/a=√2,
c=√2a,
b^2=c^2-a^2=2a^2-a^2=a^2,
令,双曲线方程为X^2/a^2-y^2/a^2=1.
25/a^2-9/a^2=1,
a=4=b,
双曲线方程为x^2/16-y^2/16=1.
c=√2a,
b^2=c^2-a^2=2a^2-a^2=a^2,
令,双曲线方程为X^2/a^2-y^2/a^2=1.
25/a^2-9/a^2=1,
a=4=b,
双曲线方程为x^2/16-y^2/16=1.
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GamryRaman
2023-06-12 广告
不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必......
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本回答由GamryRaman提供
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