Question

什么是IGBT饱和压降?

是我替老爸问的，在线等哈。谢谢了！！！

Answer 1

在BJT的输出伏安特性曲线上，饱和状态即是处在紧靠纵轴(电流轴)的一个小范围内。BJT在饱和状态工作时，总是希望该饱和范围越小越好，即要求输出电压——饱和压降越低越好。

因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻，故为了降低饱和压降，就需要提高集电区掺杂浓度。但为了提高提高击穿电压，又需要减小集电区掺杂浓度，这是一个矛盾。

为解决此矛盾，就发展出了外延片的技术，即是在低阻衬底上生长一层薄的较高电阻率的外延层，然后在外延层上制作BJT。总之，在集成电路芯片中采用外延层和埋层的目的，都是为了在保持较高击穿电压的条件下来减小集电极串联电阻、以降低饱和压降。

扩展资料

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。

参考资料来源：百度百科-饱和状态

Answer 2

饱和压降（Vces）：在门极电压驱动下，IGBT工作于饱和区（什么是饱和区请查阅相关资料），IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降。
饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标，在门极驱动电压存在的情况下，发生IGBT过流，Vce会急剧上升，一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右，IGBT就会损坏。
一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降，来实现IGBT过流保护的。

Answer 3

IGBT的饱和压降就是IGBT工作在开通状态时的压降，也就是IGBT的CE极之间的电压。这是和MOS管的导通电阻Rds(on)类似。

Answer 4

IGBT的Vces参数值为饱和压降，
反映IGBT导通时能量损耗。
Vces越低，能耗越小，则过热可能性更低，可以认为同规格的IGBT中为更佳。
反之，则可认为是性能欠佳，或者说温升会更高，易导致IGBT过热。

Answer 5

所谓饱和压降，就是当IGBT的G极和E极所加的正向电压，使管子完全导通时的电压。此时电压再增加，IC电流也不会增大。