我用NPN的三极管做了一个非门电路,有些型号输出并不理解,那是什么原因呢
我用NPN的三极管做了一个非门电路,试了三种型号,其中有一种是比较理想,可以说是完全实现了非门这个概念,而C和E极不管是哪个接地或者输入都是一样的,这个我想是一个问题,应...
我用NPN的三极管做了一个非门电路,试了三种型号,其中有一种是比较理想,可以说是完全实现了非门这个概念,而C和E极不管是哪个接地或者输入都是一样的,这个我想是一个问题,应该有点不太正常吧,一般应该是C极输出,而E极接地才对的,这个是任意一个都可以,想明白这是怎么一回事??????另一问题是,另外两个型号的NPN三极管,输出并不理想的,如果B极输入5V正电源“1”,那么C极还有0.7V电压,并不是0V。所以我就不明白了,为什么几只同样NPN的三极管确不一样呢?
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第一个问题,一般的三极管发射极和集电极是不能对调的,因为C、E对调后电流放大系数会变得很小(接近于1),几乎失去放大作用。但是有一种特殊工艺制造的三极管,其正反向的电流放大系数都较大,成为双向晶体管,这种三极管发射极和集电极是可以对调使用的。
第二个问题,基极输入高电压时,集电极电位为0.7V,那是因为基极电流不够大,所以没有达到深度饱和状态,要达到深度饱和状态基极电流应该比计算结果大出1到2倍。
举个例子,假设三极管电流放大系数β值为100,且根据集电极负载电阻计算的结果集电极电流要100mA时其电位可以降到0.3V(深度饱和状态),但实际上基极电流1mA并不能使这只三极管进入深度饱和状态,因为当Vce较低时,三极管电流放大系数β也会随之下降(从三极管特性曲线图可以看出来),使集电极电流达不到100mA,必须继续加大基极电流。
最后说明一下,硅三极管的饱和压降不可能是0V,一般是0.3V左右,锗管的饱和压降是0.1V左右。
第二个问题,基极输入高电压时,集电极电位为0.7V,那是因为基极电流不够大,所以没有达到深度饱和状态,要达到深度饱和状态基极电流应该比计算结果大出1到2倍。
举个例子,假设三极管电流放大系数β值为100,且根据集电极负载电阻计算的结果集电极电流要100mA时其电位可以降到0.3V(深度饱和状态),但实际上基极电流1mA并不能使这只三极管进入深度饱和状态,因为当Vce较低时,三极管电流放大系数β也会随之下降(从三极管特性曲线图可以看出来),使集电极电流达不到100mA,必须继续加大基极电流。
最后说明一下,硅三极管的饱和压降不可能是0V,一般是0.3V左右,锗管的饱和压降是0.1V左右。
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1]正常。只是放大系数不一样而已。
2]不可能是0,应当有一点电压,如0.2-0.5v。
0.7高了点。把b极电阻减小些。即可。或者加大c集电阻。
2]不可能是0,应当有一点电压,如0.2-0.5v。
0.7高了点。把b极电阻减小些。即可。或者加大c集电阻。
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NPN管不管你怎么接,C极接电源正,E极接电源负,这是不可改变的,你说的C、E极不管是哪个接地这种说法是不对的。
但从C极输出还是从E极输出这就决定是门电路还是非门。
因为假如B极输入正,那么E极输出是正,C极输出是负。
注:如果是C极输出,E极可接地,C极接限流电阻(或说负载电阻)到电源;
如果是E极输出,C极可直接接电源,E极接限流电阻(或说负载电阻)到地。
但从C极输出还是从E极输出这就决定是门电路还是非门。
因为假如B极输入正,那么E极输出是正,C极输出是负。
注:如果是C极输出,E极可接地,C极接限流电阻(或说负载电阻)到电源;
如果是E极输出,C极可直接接电源,E极接限流电阻(或说负载电阻)到地。
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