Question

igbt是什么

Answer 1

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。

而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。

Answer 2

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是绝缘栅双极晶体管的简称。它是一种半导体开关器件，被广泛应用在各种电子设备中，尤其是在需要高效、快速开关的场合。
IGBT的基础结构是由三个端子（集电极、发射极和栅极）都附有金属层的四层半导体器件。在内部，IGBT结构是一个四层半导体器件，其结构是通过组合PNP和NPN晶体管来实现的，它们构成了PNPN排列。
IGBT的优点包括高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降，因此兼有金氧半场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降的优点。
在新能源汽车上，IGBT起到了关键作用，特别是在电动汽车（EVs）和混合动力汽车（HEVs）中，它们能够控制电动机的速度和扭矩，使车辆能够加速。