Question

mosfet和igbt的区别

Answer 1

mosfet和igbt的区别如下：

1、结构以及应用区别

从结构上来讲，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合，通过背面P型层空穴降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流问题。

从产品上来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有，MOSFET应用电路则从十几伏到一千左右。

2、工作原理的区别

对于MOSFET来说，仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应，所以很容易实现极端的开关时间。PowerMosfet的开关的高频特性十分优秀，所以可以用在高频场和，在低电压工作状态下，开关管动作损耗远低于其他组件，但是缺点是在高压状态下，压降高，并且随着电压等级的增大，导通电阻也变大。

因而其传导损耗比较大，尤其是在高电压应用场合。IGBT是其耐压比较高，压降低，功率可以达到5000w,IGBT开关频率在40-50k之前，开关损耗也比较高，并且会出现擎柱效应。

3、驱动电路区别

IGBT输入电容要比MOS大，因此需要更大电压驱动功率，mosfet一般在高频且低压的场合应用，即功率＜1000W及开关频率＞100kHZ,而IGBT在低频率高功率的场合表现较好。

简介

MOS管即MOSFET，中文全称是金属－氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。

Answer 2

MOSFET（金属-氧化-半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）都是功率半导体器件，用于控制电流。它们有一些关键区别：
1. 结构和工作原理：
- MOSFET：MOSFET是一种场效应晶体管，具有金属-氧化物-半导体结构。通过在氧化层上施加电压，可以控制半导体通道的电流。
- IGBT：IGBT是一种双极型晶体管，结合了MOSFET和双极型晶体管的特点。它有一个门控制输入（类似于MOSFET）和一个双极输出（类似于双极型晶体管），因此结合了两者的优点。
2. 导电特性：
- MOSFET：在导通状态时，MOSFET的电阻非常小，导通损耗较低，适合高频应用。
- IGBT：IGBT的导通特性类似于双极型晶体管，其导通时的电阻相对较大，导通损耗相对较高。但是，在高电压和高电流应用中，IGBT通常更有效。
3. 适用范围：
- MOSFET：适用于高频应用，如电源开关、放大器等。
- IGBT：适用于中频到低频应用，如电力变换器、交流电机驱动器等。
4. 开关速度：
- MOSFET：具有较快的开关速度，适合高频应用。
- IGBT：开关速度相对较慢，适合中频和低频应用。
5. 应用领域：
- MOSFET：主要用于低电压和低电流的应用。
- IGBT：适用于高电压和高电流的应用，如电力电子领域。
选择MOSFET还是IGBT取决于具体的应用场景和性能要求。 MOSFET适合高频低功率应用，而IGBT适用于中频到低频高功率应用。