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EN为低,三极管截止
此时PMOS栅极电压为12V,Vsg=24-12=12V>>Vth,PMOS导通,OUT端当然有电压了
R2和R1分压了,你把R2拿掉就不会有这个问题
此时PMOS栅极电压为12V,Vsg=24-12=12V>>Vth,PMOS导通,OUT端当然有电压了
R2和R1分压了,你把R2拿掉就不会有这个问题
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我把R2焊成0欧 还是有7.2V输出,
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2018-06-25
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EN为低电平,那么Q2截止,24V电压直接负载到mos管的G端,S端电压也是24V,Vgs=24-24=0;
PMOS正常的截止电压为正电压(参考PMOS电压电流曲线(型号IRF9630)),Vgs>0V
PMOS正常的饱和导通电压为负正电压(参考PMOS电压电流曲线(型号IRF9630)),Vgs<-10V
对照曲线图,Vgs=0的时候,Rds等效电阻约为80K欧。
那么由于输出电压为7V,PMOS管与负载串联,可以推测出,负载电阻约为7/24=RL/(RL+Rds)---->RL=(560/17)K=32.94K约33K
如何避免。。。。。。
减小负载电阻,RL减小
换元器件
换图
三极管Q2的CE端,并接一个5V稳压二极管,将Vgs拉到5V,Rds上升
MOS管栅极的对立的那个极接12V,不建议,市场上也很少
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