SLC，MLC和TLC三者的区别
SLC，MLC和TLC三者的区别：
1、具体含义不同：
SLC即Single Level Cell，速度快寿命长，价格较贵，约10万次擦写寿命。
MLC即Multi Level Cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000~10000次擦写寿命。
TLC即Trinary Level Cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。
2、硬件情况不同：
大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。而SSD固态硬盘中，MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TLC芯片颗粒。
3、价格定位不同：
闪存颗粒的每一个cell最初只能写入1个二进制位，这种技术颗粒就叫SLC，因为结构简单，所以SLC颗粒读写速度超快，寿命也最长，但单位容量需要更多的存储颗粒，所以SLC颗粒最贵。
随着技术发展，闪存厂商为了进一步降低闪存成本，发明了TLC技术，即每一个cell可以写入3个二进制位。因为结构复杂，所以TLC颗粒速度较慢，寿命较短，相对SLC颗粒，TLC可以少用三分之二的颗粒写入同样的数据。
参考资料来源：百度百科-MLC
参考资料来源：百度百科-SLC MLC
一、存储技术不同
1、SLC：单层单元存储技术。
2、MLC：多层单元存储技术。
3、TLC：三层单元存储技术。
二、特点不同
1、SLC：在每个单元中存储一个Bit，这种设计提高了耐久性、准确性和性能。
2、MLC：架构可以为每个单元存储2个Bit。
3、TLC：用于性能和耐久性要求相对较低的消费级电子产品。
三、用处不同
1、SLC：对于企业的关键应用程序和存储服务，SLC是首选的闪存技术。它的价格最高。
2、MLC：存储多个Bit似乎能够很好地利用空间，在相同空间内获得更大容量，但它的代价是使用寿命降低，可靠性降低。
3、TLC：适合于包含大量读取操作的应用程序，基于TLC的存储组件很少在业务环境中使用。
参考资料来源：百度百科-SLC MLC
参考资料来源：百度百科-FLASH闪存
构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，有不少人认为单纯看主控就可以知道SSD的性能，其实这是错误的，就像某些厂商的产品线那样，用的都是SandForce SF-2281主控，但是通过不同的闪存与固件搭配划分出很多不同层次的产品，相互之间性能差异比较大，可见SSD所用的固件与闪存种类都是对其性能有相当大影响的。
NAND闪存 SLC、MLC和TLC三者的区别：
MLC采用双层设计，即每1个单元同一时间存储2个bit的数据，成本、速率和容量得到了非常好的平衡。P/E（闪存颗粒存储次数）约3K～30K。有4种存储状态，分别是00、01、10、11。
TLC是闪存一种类型，全称为Triple-Level Cell TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。 2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势一般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。 TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。但是内嵌式存储应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。 2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命 MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命 TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。 需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。
下面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异：
SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。 MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC到MLC容量大了一倍，寿命缩短为1/10。 TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC到TLC容量大了2倍，寿命缩短为1/20。
固态硬盘的SLC MLC TLC QLC有啥区别？3D NAND又是啥？
X3（3-bit-per-cell）架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC（Single-Level Cell），原理是在1个存储器储存单元（cell）中存放1位元（bit）的资料，直到MLC（Multi-Level Cell）技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝（Toshiba）引发战火，之后三星电子（Samsung Electronics）也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。
TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
