光敏电阻的时间特性
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伏安特性:
是指在一定光照下,流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系,其光电流随外加电压的增大而增大
2.光照特性:
光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性,光照越强,光电流越大,电阻值越低
3.光谱特性:
是指光敏电阻对不同波长光的灵敏度的变化;(紫外光波长:400nm以下,可见光波长:400-760nm,红外光:大于760nm),下图为不同材料的光谱特性,如图硫化镉的峰值在可见光区域,而硫化铅的峰值在红外区域,因此在选择光敏电阻时要考虑所处光源种类。
4.频率特性:
当光敏电阻受到外界光强烈变化时,不能快速做出即时反应,需要缓冲时间,说明光敏电阻有时延特性。由于不同材料的光敏电阻时延特性不同,所以它们的频率特性也不相同。下图是相对灵敏度与光强变化频率的关系曲线,可以看出硫化铅的使用频率比硫化铊高得多。但多数光敏电阻的时延都较大,因此不能用在要求快速响应的场合,这是光敏电阻的一个缺陷。
5.光谱温度特性:
是指光敏电阻的光谱响应随温度的变化而变化,当温度升高时,它的暗电阻会下降(光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称为暗电阻)。下图为硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线。如图,它的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。所以有时候为了提高硫化铅光敏电阻的灵敏度或接受远红外光,一般会采取降温措施。
是指在一定光照下,流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系,其光电流随外加电压的增大而增大
2.光照特性:
光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性,光照越强,光电流越大,电阻值越低
3.光谱特性:
是指光敏电阻对不同波长光的灵敏度的变化;(紫外光波长:400nm以下,可见光波长:400-760nm,红外光:大于760nm),下图为不同材料的光谱特性,如图硫化镉的峰值在可见光区域,而硫化铅的峰值在红外区域,因此在选择光敏电阻时要考虑所处光源种类。
4.频率特性:
当光敏电阻受到外界光强烈变化时,不能快速做出即时反应,需要缓冲时间,说明光敏电阻有时延特性。由于不同材料的光敏电阻时延特性不同,所以它们的频率特性也不相同。下图是相对灵敏度与光强变化频率的关系曲线,可以看出硫化铅的使用频率比硫化铊高得多。但多数光敏电阻的时延都较大,因此不能用在要求快速响应的场合,这是光敏电阻的一个缺陷。
5.光谱温度特性:
是指光敏电阻的光谱响应随温度的变化而变化,当温度升高时,它的暗电阻会下降(光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称为暗电阻)。下图为硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线。如图,它的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。所以有时候为了提高硫化铅光敏电阻的灵敏度或接受远红外光,一般会采取降温措施。
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光敏电阻常用的制作材料为硫化镉,另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下,其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电,在外加电场的作用下作漂移运动,电子奔向电源的正极,空穴奔向电源的负极,从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。
光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器,又称为光电导探测器;入射光强,电阻减小,入射光弱,电阻增大。还有另一种入射光弱,电阻减小,入射光强,电阻增大。
光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转换为电的变化)。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器,它是由半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性(即光谱特性)与人眼对可见光(0.4~0.76)μm的响应很接近,只要人眼可感受的光,都会引起它的阻值变化。设计光控电路时,都用白炽灯泡(小电珠)光线或自然光线作控制光源,使设计大为简化
光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器,又称为光电导探测器;入射光强,电阻减小,入射光弱,电阻增大。还有另一种入射光弱,电阻减小,入射光强,电阻增大。
光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转换为电的变化)。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器,它是由半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性(即光谱特性)与人眼对可见光(0.4~0.76)μm的响应很接近,只要人眼可感受的光,都会引起它的阻值变化。设计光控电路时,都用白炽灯泡(小电珠)光线或自然光线作控制光源,使设计大为简化
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