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1.三极管饱和状态下的特点
要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。三极管饱和时,基极电流很大,对硅管来说,发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V),而UCES=0.3V,可见,UBE>0,UBC>0,也就是说,发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后,C、E 间的饱和电阻RCE=UCES/ICS,UCES 很小,ICS 最大,故饱和电阻RCES很小。所以说三极管饱和后G、E 间视为短路.
2.三极管截止状态下的特点
要使三极管处于截止状态,必须基极电流IB=0,此时集电极IC=ICEO≈0(ICEO 为穿透电流,极小),根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,集电极与发射极间的电压UCE≈EC。三极管截止时,基极电流IB=0,而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO 可见,UBE≤0,UBC<0,也就是说,发射结和集电结均为反偏。三极管截止后,C、E 间的截止电阻RCE=UCE/IC,UCES 很大,等于电源电压,ICS 极小,C、E 间电阻RCE 很大,所以,三极管截止后C、E 间视为开路.
3.三极管放大状态下的特点
要使三极管处于放大状态,基极电流必须为:0<IB<IBS。三极管放大时,基极电流IB>0,对硅管来说,发射结的压降UBE=0.7V(锗管UBE=-0.3V),三极管在放大状态时,集电极与发射极间的电压UCE>1V 以上,UBE>0,UBC<0,也就是说,发射结正偏,集电结反偏。三极管在放大状态时,IB 与IC 成唯一对应关系。当IB 增大时,IC 也增大,并且1B 增大一倍,IC 也增大一倍。所以,IC 主要受IB 控制而变化,且IC 的变化比IB 的变化大得多,即集电极电流IC=β×IB。
要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。三极管饱和时,基极电流很大,对硅管来说,发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V),而UCES=0.3V,可见,UBE>0,UBC>0,也就是说,发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后,C、E 间的饱和电阻RCE=UCES/ICS,UCES 很小,ICS 最大,故饱和电阻RCES很小。所以说三极管饱和后G、E 间视为短路.
2.三极管截止状态下的特点
要使三极管处于截止状态,必须基极电流IB=0,此时集电极IC=ICEO≈0(ICEO 为穿透电流,极小),根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,集电极与发射极间的电压UCE≈EC。三极管截止时,基极电流IB=0,而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO 可见,UBE≤0,UBC<0,也就是说,发射结和集电结均为反偏。三极管截止后,C、E 间的截止电阻RCE=UCE/IC,UCES 很大,等于电源电压,ICS 极小,C、E 间电阻RCE 很大,所以,三极管截止后C、E 间视为开路.
3.三极管放大状态下的特点
要使三极管处于放大状态,基极电流必须为:0<IB<IBS。三极管放大时,基极电流IB>0,对硅管来说,发射结的压降UBE=0.7V(锗管UBE=-0.3V),三极管在放大状态时,集电极与发射极间的电压UCE>1V 以上,UBE>0,UBC<0,也就是说,发射结正偏,集电结反偏。三极管在放大状态时,IB 与IC 成唯一对应关系。当IB 增大时,IC 也增大,并且1B 增大一倍,IC 也增大一倍。所以,IC 主要受IB 控制而变化,且IC 的变化比IB 的变化大得多,即集电极电流IC=β×IB。

2023-08-25 广告
要让电机转动起来,控制部就必须根据Hall-sensor感应到的电机转子所在位置,然后依照定子绕线决定开启(或关闭)换流器(Inverter)中功率晶体管的顺序,使电流依序流经电机线圈产生顺向(或逆向)旋转磁场,并与转子的磁铁相互作用,如此...
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三极管有很多种不同的工作状态,分别都是什么呢?今天算长见识了
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先根据电路来计算出c,b,e三点的电位,然后判断发射结和集电结的偏置情况
发射极反偏,集电极反偏:截止
发射极正偏,集电极反偏:放大
发射极正偏,集电极正偏:饱和
当然计算中叶要留意,如果发现b的电流为零的话,那肯定就是截止区了。
我是武汉理工大学大二的,也在为模电奋斗~ 有空可以多多交流!
发射极反偏,集电极反偏:截止
发射极正偏,集电极反偏:放大
发射极正偏,集电极正偏:饱和
当然计算中叶要留意,如果发现b的电流为零的话,那肯定就是截止区了。
我是武汉理工大学大二的,也在为模电奋斗~ 有空可以多多交流!
参考资料: 《模拟电子技术基础》
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从各极电位来判断:
Uc>Ub>Ue 放大状态;发射结正偏和集电极节反偏
Ub>Uc;Ub>Ue 饱和态;发射结合集电结均正偏
Uc>Ub;Ue>Ub 截止态 ;发射结合集电结均反偏
Uc>Ub>Ue 放大状态;发射结正偏和集电极节反偏
Ub>Uc;Ub>Ue 饱和态;发射结合集电结均正偏
Uc>Ub;Ue>Ub 截止态 ;发射结合集电结均反偏
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