Question

P沟道增强型场效应管导通条件

IRF9530P沟道增强型，是不是G级电压比S级电压低到5V以上就可以导通。对P沟道不是很了解。

Answer 1

P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。
栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

Answer 2

P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。
栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。
结型场效应管只有（耗尽型）；MOS管有（增强型）和（耗尽型）。
增强型：就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。
耗尽型：就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道。

Answer 3

查了哈资料，好像是低2v~4v,最好是4v以下，参数上的最大值是4v。