W25Q128FV 闪存 四位串行SPI 读:D3,D2,D1正常读,D0(SPI的DI)始终为0
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四位串行SPI 读(Fast Read Quad Output)时序如下:
DI 是输入脚,在 四位串行SPI中 编号第0(注意区分 DO输出脚 和 D0 编号第0脚)。
先用 D0 串行 ”写“ 1个字节命令 0x6B、3个字节地址、空1个字节,然后用 D3-D0 四位串行 “读” 数据。时序图中明显标出 要求 写后读前 D3-D0 为 ”High Impedance高阻“ 态。
如果非 ”高阻“ 态,就会读取 始终为0。”读“ 前拉高 D3-D0 为 ”高电平“,即可正常读取。
再说一句,虽然 ”高电平“ 可以代替 ”高阻“ 但是二者是不同的。
什么是 ”高阻“?”高阻“ 意即 ”悬空“。如果用寄存器(即 SRAM静态存储器单元,参考 http://bbs.elecfans.com/jishu_1106321_1_1.html)读取,则 ”高阻“ 即为 ”保持原值“。
硬件连线中,“写逻辑” 和 ”读逻辑“是 线连接 的。读取时,“写逻辑” 如果为 “低电平”,那么 ”读逻辑“ 相当于接地,才会始终为 0。因此,”写逻辑“ 必须 ”悬空“ 或保持为 ”高电平“,”读逻辑“ 才能读取正确。
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