PN结,为什么p接正极,n接负极?p不是留下负离子,不是要接负极
在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和销滑空穴的浓度差。
由于扩散运动形成了上图中的PN结。就是红色虚线内侧一带。这个PN结形成的内电场的方向是向左。这个电场的效果是阻止扩散的进行。使PN二个半导体之间不再有电荷的定向移动。
如果外加一电场,P接正极、N接负极,则N区的多数载流子--电子就可以越过PN结,相当于这里增加了一个空穴,也常说是空穴越过了PN结从P区到达N区。在外加电场的作用下,这种漂移运动不断进行,就形成了正向电流。
扩展资料:腊灶
在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子,空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子,自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因,有一些电子从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。
扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个空间电荷区,空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有亏局腊关。
参考资料来源:百度百科-PN结
2024-07-24 广告
P型半导体(P指positive带电):由单晶硅通特殊工艺掺入少量三价元素组半导体内部形带电空穴;
N型半歼毕导体(N指negative带负电):由单晶硅通特殊工艺掺入少量五价元素氏族芹组半导体内部形带负电自由电
PN结外加电压 P型边接极 N型边接负极电流便P型边流向N型边空穴电都向界面运使空间电荷区变窄电流顺利通N型边接外加电压极P型边接负极则空穴电都向远离界面向运使空间电荷区变宽电流能流PN结单向导电性
PN结加反向电压 空间电荷区变宽 区电场增强反向电压增定程度反向电流突增外电路能限制电流则电流PN结烧毁反向电流突增电压称击穗敏穿电压
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