Question

EEPROM与FLASH闪存到底有什么区别

Answer 1

单就这个问题回答，是不行的，但有些地方是可以替换的。
这里就要提到Flash与eeprom的区别了：
1、擦写次数：eeprom比flash多很多，一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次（现在有些已经到了上万次），eeprom的数据比这个大，但普通eeprom也是有限制的，若要“无限制”，可以选择FRAM，它虽然读一次和写一次都算一次操作，但操作次数可以到10的12次方级别，基本可以认为是无限。
2、擦写方式：flash是不能单字节擦写的，eeprom可以，flash的最小擦写单位通常为一个sector，大小根据不同芯片不同。
如果产品满足上述两条flash的要求（产品周期内的擦写次数较少、擦写时有足够的缓存），在这样的产品中完全可以用flash来替换eeprom，否则不行。
另外，前面提到的FRAM（铁电），除了操作次数相当高外，操作时间也很短，基本上命令发完就完成了读写操作，不需要eeprom的写等待查询。具体型号如：FM24C04（IIC接口，4kbit）