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MOS管也是三端压控元件,三端分别是G、D、S,可以等效于普通三极管的B、C、E三极,VGS的电压(=VG-VS)控制Mos 开关状态:
当VGS大于Von(开启电压,NMOS为2~4V,PMOS为-2~-4V)时就使得Mos打开,D& S两极之间导通,压降为零,阻抗较小,零点几欧姆;
同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态,D& S两极之间阻抗很大;
所以,G极就是控制极;
要注意的是,Vgs不能太高,比如IRF530,Von的最大值为4V,可是击穿电压为正负20V;又比如IRF9530,开启电压为最大-4V,也就是说Vgs=-5V时已经打开,开启电压上限也为正负20V,当Vgs=-21V或者22V时,管子会被击穿。通常使用时,可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。
当VGS大于Von(开启电压,NMOS为2~4V,PMOS为-2~-4V)时就使得Mos打开,D& S两极之间导通,压降为零,阻抗较小,零点几欧姆;
同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态,D& S两极之间阻抗很大;
所以,G极就是控制极;
要注意的是,Vgs不能太高,比如IRF530,Von的最大值为4V,可是击穿电压为正负20V;又比如IRF9530,开启电压为最大-4V,也就是说Vgs=-5V时已经打开,开启电压上限也为正负20V,当Vgs=-21V或者22V时,管子会被击穿。通常使用时,可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。
艾普斯
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MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。
MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。
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根据G电压大小调整 D S 导通强弱
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