Question

谁才是旗舰最强处理器

Answer 1

制程工艺
高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。[1]
2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。[2]
核心
骁龙835的主频为3.0GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为Kryo架构，大核心频率3GHz，小核心频率2.4GHz，GPU为Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。[3]
快速充电
新的骁龙835处理器，支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。[2]
Quick Charge 4.0快充技术充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，适配范围更广泛。[3]
效率提升
高通并未公布骁龙835的更多信息，但表示10nm工艺将会带来更好的性能，提升功率效率，作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。[1] 三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%。[4]