模电的微变等效电路中rbe到底怎么求??公式前面那个常数有时候是200 有时候是260 有时候是300。
模电的微变等效电路中rbe(be是下标)到底怎么求??公式前面那个常数有时候是200有时候是260有时候是300。那个常数到底代表什么含义?可取哪些值?谢谢了。书上的例题...
模电的微变等效电路中rbe(be是下标)到底怎么求??公式前面那个常数有时候是200 有时候是260 有时候是300。那个常数到底代表什么含义?可取哪些值?谢谢了。
书上的例题中没给参数 就直接那200算的 而我找的视频是拿300算的 我男朋友(专业电气)告诉我他们都用260算。我就晕了。那考试的时候用什么算啊。 展开
书上的例题中没给参数 就直接那200算的 而我找的视频是拿300算的 我男朋友(专业电气)告诉我他们都用260算。我就晕了。那考试的时候用什么算啊。 展开
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rbe=rbb’+(1+β)(re+re'),这个电阻和工作状态有关,具体的说和滞留工作点有关。一般估算是,150~350都是合理的,工程应用时并没有统一的标准。
晶体管的输入端加交流信号vi时,在其基极将产生相应的变化电流b,如同在一个电阻上加交流电压而产生交流电流一样。因此晶体管的输入端b、e之间用一个等效电阻代替,这个电阻称为三极管的输入电阻rbe。
扩展资料:
微变等效电路的特点
1、微变等效电路的对象只对变化量。因此,NPN型管和PNP型管的等效电路完全相同。
2、微变等效电路是在正确的Q点上得到的,如Q点设置错误,即Q点选在饱和区或截止区时,等效电路无意义。
3、不能用微变等效电路求静态工作点。
4、微变等效电路中的电压和电流全部用交流量的有效值表示,电压和电流的方向按网络的定义方向,不要随意改变。
参考资料:百度百科-等效电路
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这个电阻和工作状态有关,具体的说和滞留工作点有关。一般估算是,150~350都是合理的,工程应用时并没有统一的标准。
如果要理论的计算,可以这样考虑:
Ib=Is*(e^(Vbe/VT)-1),则rb'e就是Vbe对Ib求导,于是rb'e=VT/IB=(1+β)*VT/IE=(1+β)26mV/IE (mA)
IE为静态发射极电流
这个教材里面都会有具体的介绍的,自己看看吧
如果要理论的计算,可以这样考虑:
Ib=Is*(e^(Vbe/VT)-1),则rb'e就是Vbe对Ib求导,于是rb'e=VT/IB=(1+β)*VT/IE=(1+β)26mV/IE (mA)
IE为静态发射极电流
这个教材里面都会有具体的介绍的,自己看看吧
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表达式为
rbe=rbb'+(1+β)26mV/Ieq(mA)
rbb'不同器件不同,需要查器件资料;Ieq为静态电流,与电路相关。不管是200 260 300哪个,对估算影响不大
rbe=rbb'+(1+β)26mV/Ieq(mA)
rbb'不同器件不同,需要查器件资料;Ieq为静态电流,与电路相关。不管是200 260 300哪个,对估算影响不大
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rbe=rbb’+(1+β)(re+re')
其中的re'在做题时都是直接忽略的不用管,所以一般做题就是这个公式
rbe=rbb’+(1+β)re
re是发射结电阻,跟温度有关:re=VT/IEQ(T是下标,EQ是下标),因为常温下VT=26(mV)所以常温下rbe的计算公式是
rbe=rbb'+(1+β)26(mV)/IEQ(mA)
如果是考试做题时一般题目都会告诉你rbb’的值,所以不用担心这个问题,大多数情况下rbb'都是取200进行估算的,具体看题目的情况吧
其中的re'在做题时都是直接忽略的不用管,所以一般做题就是这个公式
rbe=rbb’+(1+β)re
re是发射结电阻,跟温度有关:re=VT/IEQ(T是下标,EQ是下标),因为常温下VT=26(mV)所以常温下rbe的计算公式是
rbe=rbb'+(1+β)26(mV)/IEQ(mA)
如果是考试做题时一般题目都会告诉你rbb’的值,所以不用担心这个问题,大多数情况下rbb'都是取200进行估算的,具体看题目的情况吧
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晶体管在低信号下工作时可苏俄去其结电容的影响,其可设一b’为基区内的一个等效点,rbb’为基区的体电阻。
rbb’在未告知的情况下一般取300
rbe=rbb'+(1+β)26mV/Ieq(mA)
rbb’在未告知的情况下一般取300
rbe=rbb'+(1+β)26mV/Ieq(mA)
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