如何根据发射结与集电结的偏置状态来判断三极管工作状态

例如:集电结正偏,发射结反偏;三极管工作状态为?集电结正偏,发射结正偏;三极管工作状态为?集电结反偏,发射结正偏;三极管工作状态为?集电结反偏,发射结反偏;三极管工作状态... 例如:集电结正偏,发射结反偏;三极管工作状态为?
集电结正偏,发射结正偏;三极管工作状态为?
集电结反偏,发射结正偏;三极管工作状态为?
集电结反偏,发射结反偏;三极管工作状态为?
集电结无电流,发射结正偏;三极管工作状态为?
集电结无电流,发射结反偏;三极管工作状态为?
集电结正偏,发射结无电流;三极管工作状态为?
集电结反偏,发射结无电流;三极管工作状态为?
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正正为饱和;正(发射结)反(集电结)为放大;反反、基极电流为零时为截止。

集电结正偏,发射结反偏 ?
---- NPN型三极管接入电路时,集电极接电源正端,即C点电位最高,C>B>E;PNP型三极管接入电路时,发射极接电源正端,即E点电位最高,发射极电位最高,E>B>C;所以:如是NPN管(Uc>Ub>Ue),集电结正偏,发射结反偏,则会Ue>Ub>Uc,那么变成了发射极电位最高了, 所以此种情况是不存在的; 如是PNP管(Ue>Ub>Uc),则成了Uc>Ub>Ue,也不存在。

集电结正偏,发射结正偏 ?
----饱和。Uce小等于Ube,电源电压很低,Ib对Ic没有控制作用,饱和向放大过度必需提升电源电压至超过三极管的饱和压降Uces。(饱和分临界饱和、深度饱和,临界即Uce=Ube,此时C、B点电位相等,C、B偏零;深度饱和即B极电位高于C极,此种状态即真正的集电结正偏。)

集电结反偏,发射结正偏 ?
----放大。

集电结反偏,发射结反偏 ?
----如是NPN管,都反偏,则表示发射极电位高于基极,集电极电位也高于基极,即基极电位最低,基极没有正向偏置,即对集电极电流没有控制作用,且此时CE间有较大的电压,集电极与发射极相当于开路,所以此时三极管截止。PNP管同理。

集电结无电流,发射结正偏 ?
----因Ib=0时,集电极必有穿透电流Iceo,所以此种状态是三极管的集电极开路,B的电位高于E(NPN),或是B的电位低于E(PNP)。

集电结无电流,发射结反偏 ?
----因集电极必有穿透电流Iceo,所以此种状态也是三极管的集电极开路,B的电位低于E(NPN)或是B的电位高于E(PNP)。

集电结正偏,发射结无电流 ?
----只有E开路才会有此种状态,因集电结正偏时,发射结没理由不导通。

集电结反偏,发射结无电流 ?
----三极管发射结两端电压小于PN结导通电压,基极电流为零,三极管此时失去电流放大作用,所以此时三极管是截止。
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