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1、建议靠近电源管脚（VDD尤其重要）使用一个10uF钽电容（低ESR）和一个0.1uF的陶瓷电容并联。（增加并联的电容可以有效去除高频干扰。 2、建议在模块电源输入管脚使用一个适合电压的500mW的齐纳二极管，防止模块的超压损坏，同时也防止浪涌对芯片的损坏； 3、VM*0*模块的RST管脚未连接上拉电阻，为了防止上电时参数复位，外部必须连接2K~4.7K上拉电阻（其它型号已内置）。 4、如选用SF3.33版本，被测传感器内阻不能小于170Ω，如内阻过小不能使用高压激励模式（后果，采集电路损坏）。 5、在使用高压激励连续测量模式下，被测传感器正负极短接（后果：采集电路损坏）
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海川润泽
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