短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X原子最外层电子数是其内层电子总数的3倍,Y原子最外层只有2个
短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X原子最外层电子数是其内层电子总数的3倍,Y原子最外层只有2个电子,Z单质可制成半导体材料,W与X属于同一主族.下列叙述正确的...
短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X原子最外层电子数是其内层电子总数的3倍,Y原子最外层只有2个电子,Z单质可制成半导体材料,W与X属于同一主族.下列叙述正确的是( )A.元素X的简单气态氢化物的热稳定性比W的弱B.元素W的最高价氧化物对应水化物的酸性逐渐比Z弱C.原子半径的大小顺序:rY>rZ>rW>rXD.化合物YX、ZX2、WX3中化学键类型相同
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短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍,X有2个电子层,最外层电子数为6,故X为O元素,W与X属于同一主族,故W为S元素,Y原子的最外层只有2个电子,原子序数大于O元素,故Y处于第三周期,故Y为Mg元素,Z单质可制成半导体材料,Z为Si元素,
A、非金属性O>S,故元素O的简单气态氢化物的热稳定性比S的强,故A错误;
B、非金属Si<S,故元素S的最高价氧化物对应水化物的酸性比Si的强,故B错误;
C、同周期自左而右,原子半径减小,同主族电子层越多原子半径越大,故原子半径Mg>Si>S>O,即rY>rZ>rW>rX,故C正确;
D、化合物MgO为离子化合物,含有离子键,SiO2、SO3属于共价化合物,含有共价键,故D错误;
故选:C.
A、非金属性O>S,故元素O的简单气态氢化物的热稳定性比S的强,故A错误;
B、非金属Si<S,故元素S的最高价氧化物对应水化物的酸性比Si的强,故B错误;
C、同周期自左而右,原子半径减小,同主族电子层越多原子半径越大,故原子半径Mg>Si>S>O,即rY>rZ>rW>rX,故C正确;
D、化合物MgO为离子化合物,含有离子键,SiO2、SO3属于共价化合物,含有共价键,故D错误;
故选:C.
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