Question

关于MOS的应用疑问

如图，MOS随着VGS的不同，ID会相应增大，同样VGS的改变会导致导通阻抗的下降,
我的疑问是这不是矛盾的嘛，ID的增大MOS进入了线性区 ，为什么导通阻抗还会下降呢？？？

问题2：
那我们平时应用怎么保证MOS进入开关状态，我想把MOS当开关使。。。。
我以往一直以为根据手册上增大VGS超过门限电压的最大值必然进入开关区
希望指点下
谢谢

Answer 1

问题1，你所说的并不矛盾，VGS变大，RDS就变小，ID当然变大了。
问题2，VGS超过门限电压即VGS(th)只能说明MOS开始受控，进入的应该是线性区，VGS电压小于VGS(th)应该是截止的，就像图上的VGS在2.5V一下ID是没有的。MOS当开关使，要进入饱和区，区间内ID不会因VGS的变化而变化较大。VGS电压一般为5-10V，一般达到10V应该可以当成完全导通了。