雪崩光电二极管的主要特性
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主要特性 ①雪崩增益系数M(也叫倍增因子),对突变结
式中V为反向偏压,VB为体雪崩击穿电压;n与材料、
器件结构及入射波长等有关,为常数,其值为1~3。②增益带宽积,增益较大且频率很高时,
M(ω)·ω
式中ω为角频率;N为常数,它随离化系数比缓慢变化;W为耗尽区厚度;Vs为饱和速度;αn及αp分别为电子及空穴的离化系数,增益带宽积是个常数。要想得到高乘积,应选择大Vs,小W及小αn/αp(即电子、空穴离化系数差别要大,并使具有较高离化系数的载流子注入到雪崩区)。③过剩噪声因子F,在倍增过程中,噪声电流比信号电流增长快,用F表示雪崩过程引起的噪声附加F≈Mx。式中x称过剩噪声指数。要选择合适的M值,才能获得最佳信噪比,使系统达到最高灵敏度。④温度特性,载流子离化系数随温度升高而下降,导致倍增因子减小、击穿电压升高。用击穿电压的温度系数卢描述APD的温度特性。
β=
式中VB及VB0分别是温度为T及T0时的击穿电压。
使用时要对工作点进行温控,要制造均匀的P-N结,以防局部结面被击穿。
北京晶宇兴科技
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