实际晶体的线缺陷表现为
B. 位错
实际晶体的线缺陷表现为( B )
A. 晶界
B. 位错
C. 空位和间隙原子
D. 亚晶界
拓展:实际晶体 实际的晶体,若以含长程屯维周期性的理想晶体模型为基准进行对照,可导出实际晶体}fr存在对理想晶格两大类偏离的概念。第一类是晶体的平均结构仍基本保持长程的有序周期性,但存在着寄居于长程晶格有序中的局部偏离或局部结构无序。此类局部偏离或无序亦称晶体缺陷,其多种不同类型参见晶体的非完关性,第二类是涉及长程周期性已难以按原样维持的晶格畸变,如高聚物中的次晶(paracrystal)体系等
按缺陷的几何形态,晶体缺陷分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三种。
点缺陷是指长、宽、高方向尺寸都很小的缺陷。在晶体中由于点缺陷的存在,使周围原子间的作用力失去平衡,其周围原子向缺陷处靠拢或被撑开,从而导致晶格发生歪扭,这种现象称为晶格畸变。晶格畸变会使金属的强度和硬度提高。
线缺陷是指在一个方向上的尺寸很大,另两个方向上尺寸很小的一种缺陷,主要是指各种类型的位错。位错的存在对金属的力学性能有很大的影响,例如冷变形加工后的金属,由于位错密度的增加,强度明显提高。
面缺陷是指在两个方向上的尺寸很大,第三个方向上的尺寸很小而呈面状的缺陷。面缺陷的主要形式是各种类型的晶界,它是多晶体中晶粒之间的界面。晶界的存在,使晶格处于畸变状态,在常温下对金属塑性变形起阻碍作用。所以,金属的晶粒愈细,则晶界愈多,对塑性变形的阻碍作用愈大,金属的强度、硬度愈高。