丝印为AISHB,属于P沟道MOSFET场效应管。
主要参数
晶体管类型 : P沟道MOSFET
最大功耗PD : 1.25W
栅极门限电压VGS : 2.5V(典型值)
漏源电压VDS :-20V(极限值)
漏极电流ID:TA=25°时:-2.3A,TA=70°时:-1.5A
通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值)
栅极漏电流IGSS:±100nA
结温:55℃to+150℃
封装:SOT-23(TO-236)
替代型号:WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS
封装类型:SOT-23
品牌:CJ
型号:SI2301
材料:硅(Si)
应用范围:功率。