FGA25N120是什么三极管
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FGA25N120不是三极管。
它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
扩展资料：
IGBT管的开通和关断是由栅极电压来控制的，当栅极加正电压时．MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT管导通，此时高耐压的IGBT管也具有低的导通态压降。
在栅极上加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT管即关断。
IGBT管与M()SFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极、发射极间施加十几伏的直流电压．只有微安级的漏电流，基本上不消耗功率，显示了输入阻抗大的优点。IGBT的电路符号仍然没有统一的画法。
若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若1GBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极一发射极间施加十几伏的直流电压，只有μA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
参考资料：百度百科绝缘栅双极型晶体管
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