如图所示,一金属方框abcd从离磁场区域上方高h处自由下落,然后进入与线框平面垂直的匀强磁场中.在进入
如图所示,一金属方框abcd从离磁场区域上方高h处自由下落,然后进入与线框平面垂直的匀强磁场中.在进入磁场的过程中,可能发生的情况是()A.线框做变加速运动B.线框做匀加...
如图所示,一金属方框abcd从离磁场区域上方高h处自由下落,然后进入与线框平面垂直的匀强磁场中.在进入磁场的过程中,可能发生的情况是( )A.线框做变加速运动B.线框做匀加速运动C.线框做匀减速运动D.线框做匀速运动
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设线框cd边长为L,整个线框的电阻为R,进入磁场时速度为v,线框受到的安培力:F=BIL=BL
=BL
=
;
①如果F=mg,线框将做匀速直线运动,故D正确;
②如果F<mg,线框将加速进入磁场,由牛顿第二定律得:mg-
=ma,a=g-
,随速度增大,加速度减小,则线框将做加速度减小的加速运动,故A正确,B错误;
③如果F>mg,线框将做减速运动,由牛顿第二定律得:
-mg=ma,a=
-g,随速度增小,加速度减小,则线框将做加速度减小的减速运动,故C错误;
故选:AD.
E |
R |
BLv |
R |
B2L2v |
R |
①如果F=mg,线框将做匀速直线运动,故D正确;
②如果F<mg,线框将加速进入磁场,由牛顿第二定律得:mg-
B2L2v |
R |
B2L2v |
mR |
③如果F>mg,线框将做减速运动,由牛顿第二定律得:
B2L2v |
R |
B2L2v |
mR |
故选:AD.
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