质量为m,边长为L的正方形导体框,从有界的匀强磁场上方由静止自由下落.线框每边电阻为R.匀强磁场的宽度为H. 40

(1)cd边刚进入磁场时的速度.(2)线框进入磁场的过程中产生的热量质量为m,边长为L的正方形导体框,从有界的匀强磁场上方由静止自由下落.线框每边电阻为R.匀强磁场的宽度... (1)cd边刚进入磁场时的速度.
(2)线框进入磁场的过程中产生的热量
质量为m,边长为L的正方形导体框,从有界的匀强磁场上方由静止自由下落.线框每边电阻为R.匀强磁场的宽度为H.(H大于L) 磁场强度B 线框下落过程中ab边与磁场边界平行且沿水平方向 已知ab边刚入和刚出时 都减速运动~加速度为a=g/3
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残瑟依旧
2010-12-21
知道答主
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1)由题意可知ab边刚进入磁场和刚出磁场时速度相等,设为v1,线框中的电动势E=BLvl,电流I=.E/R线框所受安培力F=BIL=B^2L^2V1/R
据牛顿第二定律F—mg=mg
解得v1=4MGR/3B^2L^2
设Cd边刚进入磁场时速度为v2,由Cd进入磁场到ab边刚出磁场,应用动能定理:
mg(H-L)=1/2mv12-1/2mv22
解得:v2=√(16M^2G^2R^2/9B^4L^4)-2G(H-l)

2)根据能量守恒有1/2mv12+mgL=1/2mv22+Q,得Q=mgH.
LXG1965
2010-12-20 · TA获得超过3548个赞
知道大有可为答主
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题有误,‘.(H<L),ab边刚入和刚出时 都减速运动~加速度为a=g/3’是不可能的,应为‘H>L’
1、ab边刚入时,由F-mg=ma 得安培力 F=4mg/3 ,又 F=BIL=(BL)^2*V/4R
所以ab边刚入的速度为 v=16mg/3(BL)^2 题目需要核实!!
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bin3320
2010-12-21
知道答主
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题目好像有点问题.
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