晶体管的共基极直流短路电流放大系数 是指发射结( )偏、集电结( )偏时的( )电
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晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指晶体管发射结正向偏置、集电结反向偏置时的直流电流放大系数。
具体来说,当晶体管发射结正向偏置,集电结反向偏置时,晶体管的基极电流为0,发射结电流为I_E,集电结电流为I_C,此时的直流短路电流放大系数可以用I_C/I_E来表示,称为共基极直流短路电流放大系数。
在晶体管的共基极电路中,基极和发射极之间没有负载电阻,因此其输入阻抗较低,输出阻抗较高。共基极电路的另一个特点是电压放大系数较小,但是直流电流放大系数较高,可以用于电流放大和开关控制等应用。
需要注意的是,晶体管的直流短路电流放大系数是随着工作点的变化而变化的,因此在实际应用中需要根据具体情况选择合适的工作点,以确保晶体管的稳定工作和良好的性能表现。
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