晶体二极管具有什么特性
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晶体二极管具有单向导电性。
1.正向特性
指二极管加上正向电压时电流和电压的关系。当二极管两端所加的正向电压由零逐渐增大时,开始时正向电流很小,几乎为零,二极管呈现很大的电阻,这个区域称为死区。硅二极管死区电压约为0. 5V;锗二极管死区电压约0. 2V。在实际使用中,当二极管正偏电压小于死区电压时,视为其正向电流为零的状态。
外加电压超过死区电压后,正向电流开始出现,直到等于导通电压,正向电流迅速增加,这时二极管处于正向导通状态。硅管的导通电压为0.6-0. 7V,锗管的导通电压为0.2-0.3V。
2.反向特性
指二极管加反向电压时电流和电压的关系。当给二极管加反向电压时,形成的反向电流很小,而且在很大范围内基本不随反向电压的变化而变化,故这个区域称为反向截止区。反向截止时通过的电流称为反向饱和电流,通常硅管有几微安到几十微安;锗管有几十微安到几百微安。
这个电流是衡量二极管质量优劣的重要参数,其值越小,二极管质量越好。一般情况下可以忽略反向饱和电流,认为二极管反向不导通。如果反向电压不断增大到一定值时,反向电流会突然增大,这种现象称为反向击穿,这时二极管两端所加的电压称为反向击穿电压。普通二极管正常使用时,是不允许出现这种现象的。
深圳晶创和立
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2024-06-11 · 一家专业做射频芯片的采购平台
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晶体二极管具有快速响应、低启动电压、低功耗等优点,广泛应用于各种电子电路中
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