MOS管三个极,分别是栅极(G)源极(S)和漏极(D)。
MOS器件是电压控制型器件,用栅极电压来控制源漏的导通情况。
MOS管和三极管截止区:
NMOS管的如果栅压小于阈值电压,MOS管相当于两个背靠背的二极管,不导通。
NPN三极管也一样,如果偏压小于阈值电压,也相当于两个背靠背的二极管,不导通。
MOS管饱和区的介绍:
NMOS在漏极电压比较高时,会使沟道夹断,之后即使电压升高,电流不会再升高,因此叫做饱和区。
NPN三极管在集电极电压比较高时,也会几乎全部收集到从发射极过来的电子,电压再升高也没有办法收集到更多,也是它的饱和区。