大学模拟电子技术,单项选择题!求答案!谢谢!
1.砷化镓是一种:A导体B绝缘体C半导体D非以上三类2.P型半导体和N型半导体中的多子分别是:A电子空穴B空穴电子C空穴空穴D电子电子3.关于PN结正偏说法正确的是AP端...
1.砷化镓是一种:
A导体 B绝缘体 C 半导体 D 非以上三类
2.P型半导体和N型半导体中的多子分别是:
A 电子 空穴 B 空穴 电子 C 空穴 空穴 D 电子 电子
3.关于PN结正偏说法正确的是
A P端加正电压N端加负电压 B N端加正电压P端加负电压
C P端N端都加正向电压 D P端N端都加反向电压
4.理想二极管的正向电阻为( )
A.零 B.无穷大 C.约几千欧 D.约几十欧
5.下列不属于三极管特性的是:
A 发射结正偏集电结反偏三极管处于放大状态
B发射结反偏集电结反偏三极管处于截止状态
C发射结正偏集电结正偏三极管处于饱和状态
D发射结反偏集电结正偏三极管处于倒置状态
6.BJT按PN结的结构分类可分成( )
A高频管、低频管 B硅管、锗管 C PNP管、NPN管 D双极管、单极管
7.三极管的三个区中掺杂浓度最高的是那个区:
A 基区 B 集电区 C 发射区 D 三区一样
8.三极管中负责收集大量载流子的是:
A基极 B发射极 C集电极 D以上都对
9.下列对三极管公式描述正确的是:
A a=Ic/Ib B β=Ic*Ib C Ie=Ib+Ic D Ic=Ie 展开
A导体 B绝缘体 C 半导体 D 非以上三类
2.P型半导体和N型半导体中的多子分别是:
A 电子 空穴 B 空穴 电子 C 空穴 空穴 D 电子 电子
3.关于PN结正偏说法正确的是
A P端加正电压N端加负电压 B N端加正电压P端加负电压
C P端N端都加正向电压 D P端N端都加反向电压
4.理想二极管的正向电阻为( )
A.零 B.无穷大 C.约几千欧 D.约几十欧
5.下列不属于三极管特性的是:
A 发射结正偏集电结反偏三极管处于放大状态
B发射结反偏集电结反偏三极管处于截止状态
C发射结正偏集电结正偏三极管处于饱和状态
D发射结反偏集电结正偏三极管处于倒置状态
6.BJT按PN结的结构分类可分成( )
A高频管、低频管 B硅管、锗管 C PNP管、NPN管 D双极管、单极管
7.三极管的三个区中掺杂浓度最高的是那个区:
A 基区 B 集电区 C 发射区 D 三区一样
8.三极管中负责收集大量载流子的是:
A基极 B发射极 C集电极 D以上都对
9.下列对三极管公式描述正确的是:
A a=Ic/Ib B β=Ic*Ib C Ie=Ib+Ic D Ic=Ie 展开
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