急求解一道半导体物理方面的题~谢谢了！望半导体物理方面牛人解答！
一P型半导体Si样品电阻率为0.4-cm（300K）。要制备一个肖特基结（金属半导体整流接触），有如下两种金属，功函数分别为：Al：Wm＝4.20eV，P...
一P型半导体Si样品电阻率为0.4 -cm（300K）。要制备一个肖特基结（金属半导体整流接触），有如下两种金属，功函数分别为：Al：Wm＝4.20eV，Pt：Wm＝5.4eV。选择合适的金属，给出选择的理由。并计算金属一侧的势垒高度qms和半导体一侧的势垒高度qVD。
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1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3)
2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV
3.为了得到肖特基结，要求P型半导体满足Wm<Ws,所以应选择Al，作为金属构成肖特基结。
4.金属一侧的势垒高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV
5.半导体一侧的势垒高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV
2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV
3.为了得到肖特基结，要求P型半导体满足Wm<Ws,所以应选择Al，作为金属构成肖特基结。
4.金属一侧的势垒高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV
5.半导体一侧的势垒高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV
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创远信科
2024-07-24 广告
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